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深圳市烜芯微科技有限公司
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鋰電池保護(hù)板均衡原理-鋰電池組保護(hù)板均衡充電工作解析
2019-09-19
鋰電池保護(hù)板均衡原理成組鋰電池串聯(lián)充電時(shí)，應(yīng)保證每節(jié)電池均衡充電，否則使用過(guò)程中會(huì)影響整組電池的性能和壽命。常用的均衡充電技術(shù)有恒
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場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)識(shí)圖與電路圖參數(shù)
2019-09-18
場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)識(shí)圖場(chǎng)效應(yīng)管英文縮寫(xiě)：FET(Field-effect transistor)，簡(jiǎn)稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種高輸入阻抗的電壓控制型半導(dǎo)體。場(chǎng)效應(yīng)
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75n75場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-75n75引腳圖-75n75電路圖PDF
2019-09-18
1、75N75產(chǎn)品描述75N75是N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)狀態(tài)特性穩(wěn)定、快速的效應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)速度，低熱阻，常用于電信和計(jì)算機(jī)應(yīng)用。2、75N75產(chǎn)品特征RD
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場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路設(shè)計(jì)與基礎(chǔ)選型
2019-09-18
場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡(jiǎn)單
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場(chǎng)效管開(kāi)關(guān)直流穩(wěn)壓電源電路圖解析
2019-09-18
場(chǎng)效管直流穩(wěn)壓電路圖V-MOS功率場(chǎng)效應(yīng)管作調(diào)整管的穩(wěn)壓電源。直流輸出電壓可在1 25V~12V連續(xù)可調(diào)，輸出電流為50mA（須裝10平方厘米散熱器）
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場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)極區(qū)別-場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)極引腳圖詳解
2019-09-18
場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)極場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)極相當(dāng)于三級(jí)管的三個(gè)電極，G是控制極，相當(dāng)于三級(jí)管的B極，電壓控制DS的導(dǎo)通率（三極管是電流控制型，B極
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TO-220mos引腳順序圖-TO-220封裝尺寸-TO-220系列區(qū)別
2019-09-17
TO-220mos引腳順序TO-220封裝是一種快恢復(fù)二極管常采用的一種直插式的封裝形式。其中，TO英文是 Transistor Outline的縮寫(xiě)。通常，TO-220
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P溝MOS管工作原理-特性與P溝道MOS管開(kāi)關(guān)電路解析
2019-09-17
P溝MOS管工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi)，P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做
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什么是場(chǎng)效應(yīng)管-場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-命名方法-作用原理
2019-09-17
什么是場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極
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MOS管開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與原理
2019-09-17
MOS管開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路圖在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多
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場(chǎng)管自激逆變器電路圖自制設(shè)計(jì)
2019-09-17
逆變器是把直流電能（電池、蓄電瓶）轉(zhuǎn)變成交流電（一般為220v50HZ正弦或方波）。通俗的講，逆變器是一種將直流電（DC）轉(zhuǎn)化為交流電（AC）
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MOS管參數(shù)解讀-MOS管參數(shù)名詞解釋與重要性參數(shù)
2019-09-16
MOS管參數(shù)解讀1、電壓規(guī)格(VDSS)俗稱(chēng)耐壓，至少應(yīng)該為主繞組的3倍，需求留意的是，主繞組的電壓指的是圖2 6中的N2或者N3，而不是二者相加。