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MOS的6大失效原因與解決方案
2020-03-11
MOS的6大失效原因與解決方案MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—
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MOS管半導(dǎo)體的函數(shù)差-半導(dǎo)體的函數(shù)是怎么定義的
2020-03-11
MOS管半導(dǎo)體的函數(shù)差-半導(dǎo)體的函數(shù)是怎么定義的SiOz-SiMoS二極管對所有的MOS二極管而言，金屬—Si02 -Si為最受廣泛研究．Si0—Si系統(tǒng)的電
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雙極型晶體管半導(dǎo)體圖
2020-03-10
雙極型晶體管半導(dǎo)體圖晶體管（是轉(zhuǎn)換電阻transfer rcsistor的縮寫）是一個多重結(jié)的半導(dǎo)體器件，通常晶體管會與其他電路器件整合在一起，以
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可控硅器件與相關(guān)功率器件
2020-03-10
可控硅器件與相關(guān)功率器件可控硅器件是一種非常重要的功率器件，可用來作高電壓和高電流的控制．可控硅器件主要用在開關(guān)方面，使器件從關(guān)閉
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快恢復(fù)二極管與超快恢復(fù)二極管的開關(guān)電源
2020-03-10
快恢復(fù)二極管與超快恢復(fù)二極管的開關(guān)電源快恢復(fù)及超快恢復(fù)極管在開關(guān)電源二次側(cè)的輸出整流電路中，一般選用反向恢復(fù)時悶較短的整流二極管，
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推挽式開關(guān)電源原理圖
2020-03-10
推挽式開關(guān)電源原理圖簡介在雙激式開關(guān)電源中，推挽式開關(guān)電源是最常用的開關(guān)頻率電源。因為推挽式開關(guān)電源中的兩個操控開關(guān)管K1 和輪流替
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晶體管的驅(qū)動MOSFET管知識
2020-03-10
晶體管的驅(qū)動MOSFET管知識MOSFET管柵極驅(qū)動電路如上所述 ，柵極驅(qū)動電路必須能輸出電流 ，即成為 源。同時，為了提供柵極反向電壓，MO
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驅(qū)動雙極型晶體管的電路圖
2020-03-10
驅(qū)動雙極型晶體管的電路圖其他類型的基極驅(qū)動電路在過去的幾年里 ，出現(xiàn)了許多專門用于驅(qū)動雙極型晶體管的電路 。它們大多應(yīng)用于低功率場
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雙極型晶體管的直流增益曲線圖
2020-03-10
雙極型晶體管的直流增益曲線圖對于MOS管雙極型晶體管 ，由于電流增益隨輸出電流的上升急劇下降 ，當(dāng)輸出電流顯著增加時， 其基極電流的
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MOSFET柵極電壓圖
2020-03-09
MOSFET柵極電壓圖漏極電流上升和下降太快會在地線和電源線上引起較大的 Ldi dt 尖峰電壓并在鄰近的線路或節(jié)點(diǎn)上輯合出大的 CdV dt j良
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應(yīng)用磁放大器關(guān)斷輔輸圖
2020-03-09
應(yīng)用磁放大器關(guān)斷輔輸出迄今為止 ，磁放大器只是用來調(diào)理輔輸出電壓 。它經(jīng)過控制初始磁通密度 Bl 來控制輸 出。Bl 越低，關(guān)斷時間
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弦半波電壓圖
2020-03-09
弦半波電壓圖開關(guān)頻率和 Ll 電感值的計算在圖 15 12 C c） 中，當(dāng)Ql 導(dǎo)通時，L1 的電壓為飛 ，電感 L1 的電流按斜率 dl f dt