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    12N03M場效應管參數(shù),12N03M中文資料

    發(fā)布時間:2025-06-20 19:52:17
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    產(chǎn)品概述
    12N03M場效應管參數(shù)
    烜芯微生產(chǎn)12N03M場效應管,提供12N03M的參數(shù)規(guī)格書,12N03M中文資料與12N03M場效應管的引腳圖
    12N03M場效應管參數(shù)具體如下:
    極性:N溝通
    Power Dissipation(w)功耗:3W
    Continuous Drain Current ID(A)持續(xù)漏極電流:12A
    Drain-Source Voltage VDS(V)漏源極電壓:30V
    Gate-Source Voltage VGS(V)柵源電壓:±20V
    Gate Threshold Voltage Vgs(ts)開啟電壓:1V~ 2.5V
    Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導通電阻ID=10A,VGS=10V:Typ 10mΩ Max 13mΩ
    Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導通電阻ID=5A,VGS=4.5V:Typ 14mΩ Max 20mΩ
    Junction and Storage Temperature Range :結和儲存溫度范圍:-55 to 150℃
    12N03M場效應管封裝為:DFN2*2-6L
    12N03M
    作用與應用
    12N03M場效應管的核心作用是作為電子開關使用。在電路中,它通過控制柵極電壓來調節(jié)漏源路徑上的電流流動,實現(xiàn)對負載的精確控制。12N03M廣泛應用于以下領域:
    電源管理:12N03M可用作低壓降開關,用于電源管理電路中的電池充放電控制、DC-DC變換器等。
    信號放大:在音頻放大器和低頻放大器中,12N03M可以作為信號放大的關鍵部件。
    開關控制:在各種開關電路中,如LED燈控制、電機控制等,12N03M能提供高效的開關控制功能。
    模擬開關:在模擬電路中,12N03M可以作為開關管,用于模擬信號的控制和處理。
    充電管理:在移動設備和電動車等充電管理系統(tǒng)中,12N03M用于充電過程中的電池保護和充電控制。
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